Laser doidowy 808nm serii C – 120W

Cechy

Aplikacje

Wysoka moc wyjściowa 120 W

Światłowód wielomodowy 400μm/0,22NA

Środkowa długość fali 808±3nm

Półprzewodnikowe źródło pompy laserowej

Wyślij e-mail do nas Pobierz jako PDF

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Ta dioda laserowa może być używana jako źródło pompowania lasera półprzewodnikowego

Dioda laserowa 808nm serii C 120W to zaawansowana dioda laserowa o długości fali 808nm.Został zaprojektowany, aby zapewnić wysoką moc wyjściową i doskonałą jakość wiązki, dzięki czemu idealnie nadaje się do zastosowań medycznych i przemysłowych.Dzięki unikalnej konstrukcji urządzenie można łatwo zintegrować z istniejącymi systemami lub używać jako samodzielne źródło lasera diodowego.Jej wysoka moc szczytowa sprawia, że jest w stanie wytwarzać wyższe wartości wyjściowe niż większość standardowych diod, a niski kąt rozbieżności zapewnia, że moc wyjściowa jest mocno skupiona we wszystkich kierunkach.Podstawowe zastosowanie diody laserowej serii C 808 nm o mocy 120 W obejmuje zabiegi medyczne, takie jak odnawianie powierzchni skóry i usuwanie włosów.

Typowa wydajność urządzenia (25 ℃)

	min	Typowy	Maks	Jednostka
Optyczny
Moc wyjściowa CW	-	120	-	W
Środkowa długość fali	-	808±10	-	nm
Widmowa szerokość (90% mocy)	-	< 10,0	-	nm
Przesunięcie długości fali z temperaturą	-	0,35	-	nm/℃
Ochrona przed sprzężeniem zwrotnym (1030-1100nm)	-	>40	-	B
Elektryczny
Prąd progowy	-	1.8	-	A
Prąd roboczy	-	9.4	10.0	A
Napięcie robocze	-	26. 1	27	V
Wydajność nachylenia	-	15.8	-	WA
Wydajność konwersji energii	44	49	-	%
Celujący laser
Moc wyjściowa CW	-	2	-	mW
Środkowa długość fali	-	650±10	-	nm
Prąd roboczy	-	<30	-	mA
Napięcie robocze	-	<2,5	-	V
Błonnik*
Średnica rdzenia światłowodu	-	400	-	μm
Średnica płaszcza światłowodowego	-	440	-	μm
Średnica bufora światłowodowego	-	700	-	μm
Apertura numeryczna	-	0,22	-	-
Długość włókna	-	1-5	-	m
Złącze światłowodowe	-	-	-	-

Oceny bezwzględne

	min	Maks	Jednostka
temperatura robocza	15	35	℃
Wilgotność względna podczas pracy	-	75	%
Temperatura przechowywania	-20	80	℃
Wilgotność względna przechowywania	-	90	%
Temperatura lutowania ołowiu (maks. 10 s)	-	250	℃

Ta instrukcja służy wyłącznie jako odniesienie.Han's TCS stale ulepsza swoje produkty, dlatego może zmieniać specyfikacje bez powiadamiania klientów. Aby uzyskać szczegółowe informacje, prosimy o kontakt z działem sprzedaży Han's TCS.@2022 Han's TianCheng Semiconductor Co., Ltd. Wszelkie prawa zastrzeżone.